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Synopsys帮助三星5nm,4nm和3nm工艺加速

最近,全球知名的EDA工具制造商Synopsys宣布,它在三星7LPP(7nmLowPowerPlus)和更先进的技术学习平台(具有5纳米后续工艺量)的设计上取得了突破。三星4nm和3nm。为提高生产力和性能的坚实基础。
如您所知,随着半导体工艺技术的不断进步,晶体管的尺寸已逼近物理极限,芯片设计和制造变得越来越复杂,性能也在不断提高。它变得越来越困难。
因此,为了提高芯片性能,必须对每个链接进行详细分析。
因此,Synopsys创建了一个大规模生产勘探平台(YieldExplorer)。这是用于大规模生产芯片的复杂学习平台,可用于分析芯片设计三个方面的数据。出色的生产和产品测试:工程师发现缺陷,提高产量并提高生产率。
根据三星的路线图,三星的制程在不久的将来将具有三个重要的节点:14nm,10nm,7nm和3nm。其中14nm演变为11nm,10nm至8nm,7nm至6nm,5nm和4nm。
通常,根据性能和能耗,每个过程分为几个版本。例如,将14nm分为14LPE,14LPP,14LPC和14LPU,将3nm分为3GAE和3GAP。预计将采用新材料。
不久前,在韩国三星的代工制造论坛上,负责代工业务的三星副总裁尹恩成宣布了三星在半导体制造技术上的进步。。
他透露,三星7nm EUV工艺将在2020年1月量产。
此外,三星已完成5纳米FinFET工艺的研究和技术开发,并透露预计将在2020年上半年投入量产。
4nm将于今年晚些时候完成,新的Synopsys平台将在其中发挥非常重要的作用。
那么主节点是3 nm。三星此前宣布将在3 nm节点上使用GAA信封栅极晶体管技术。三星一直在使用使用纳米芯片器件的MBCFET(多桥和通道FET,多通道FET)。
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